Биология - Линия Кикучи

09 февраля 2011





Карта пар линий Кикучи до 1/1Å для 300 кэВ электронов в гексагональном сапфире, с подписанными некоторыми пересечениями.

Линии Кикучи — пара полос, образующихся при электронной дифракции от монокристалла. Это явление можно наблюдать в просвечивающем электронном микроскопе с достаточно толстой областью для многократного рассеяния или при дифракции обратнорассеянных электронов в растровом электронном микроскопе.

Экспериментальные и теоретические карты геометрии полос Кикучи, также как их аналоги в ориентационном пространстве, например изгибный контур, картины каналированных электронов


Аналоги обычного пространства

Кремниевая звезда кривых качания, зафиксированная в эллиптической области около 500 нанометров шириной.

Линии Кикучи служат для выделения края плоскостей решётки в дифракционных картинах толстых образцов. Поскольку брегговские углы в дифракции высокоэнергетических электронов очень малы), полосы Кикучи весьма узки в обратном пространстве. Это также значит в изображениях в обычном пространстве, что край плоскостей решётки…


Изгибные контуры и кривые качания

Изгибные контуры и край видимости решётки как функция толщины образца и наклона пучка.

Кривые качания являются графиками отраженной электронной интенсивности, как функции угла межу случайным и нормальным положением электронного пучка для установления кристаллических плоскостей в образце.

Карты видимого края кристаллической решётки

Вы можете видеть из кривой качания изменение толщины образца до 10 нанометров и меньше диапазон углов наклона, что приводит к дифракции и/или контраст края решётки становится обратно пропорционален толщине образца. Геометрия видимого края решётки, в следствии этого, становится полезной при изучении Шаблон:Наноматериал в электронном микроскопе, так же как и изогнутые контуры и линии Кикучи полезны в изучении монокристаллических образцов.

Карты каналированных электронов

Вышеперечисленные методы включают детектирование всех электронов, которые проходят через тонкий образец, как правило в просвечивающем электронном микроскопе. В растровом электронном микроскопе, с другой стороны, как правило, смотрят на электроны поднимающиеся, когда растер сфокусированного электронного пучка через толстый образец. Картины каналированных электронов подчеркивают эффект ассоциации с краем плоскостей кристаллической решётки, что наблюдается в растровом электронном микроскопе во вторичных или обратно рассеянных электронах.




Просмотров: 7342


<<< Лазерная рентгеновская микроскопия
Метод реплик (микроскопия) >>>